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AI推理應用爆發(fā)推升QLC NAND Flash市場需求

AI推論快速成長，QLC NAND Flash成為企業(yè)級儲存解決方案的新寵。相較于傳統的TLC NAND，QLC具備更高存儲密度與更低成本，適合以讀取為主的AI推論工作負載。法人分析，臺廠如群聯、威剛、宇瞻等存儲器模組廠，有望從中受惠。根據調研機構預測，2025年QLC NAND產能將達250.48億Gb，占NAND總產能的22.2%，滲透率逐步提升。AI推論服務器主要負責分析以及處理大量數據，而這類應用訪問模式以讀取為主，寫入頻率相對較低，正好契合QLC SSD的特性。QLC NAND有更高存儲密度
關鍵字： AI推理 QLC NAND Flash

存儲市場復蘇，關鍵看AI

存儲市場新一輪的逆風，始于 2024 年下半年。邁入 2025 年 3 月，市場已顯露出一些微妙變化。NAND 廠商，集體漲價近日，全球知名存儲芯片廠商閃迪向客戶發(fā)出漲價函，宣布自 4 月 1 日起，旗下產品將全面漲價，整體漲幅超 10%，此次調價覆蓋所有渠道及消費類產品。閃迪還透露，將持續(xù)審查定價，后續(xù)季度或有額外漲幅。繼閃迪后，美光、三星、SK 海力士等 NAND 廠商也計劃將于 4 月漲價。從供應方面，美光今年新加坡 NAND 廠發(fā)生停電，也影響了供貨。NAND Flash 控制芯片廠商群聯也透露，
關鍵字： NAND

美光斷電減產 NAND原廠4月提前調漲

NAND Flash價格由谷底翻漲正蓄勢待發(fā)，繼SanDisk日前發(fā)函通知4月1日將調漲報價，近期市場傳出，美光（Micron）、三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）以及中國的存儲廠均將從4月起提高報價。由于二大韓廠減產措施發(fā)酵，美光日前新加坡NAND廠發(fā)生跳電，導致NAND供貨轉趨吃緊，長江存儲旗下SSD品牌也將于4月起調漲代理價格，漲幅可望將超過10%，全球各大原廠不約而同推動漲價，NAND價格回漲速度優(yōu)于原先預期。存儲器業(yè)界觀察，近期整體終端市場的需求并
關鍵字：美光 NAND

兆易創(chuàng)新推出GD25NE系列SPI NOR Flash

業(yè)界領先的半導體器件供應商兆易創(chuàng)新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產品——GD25NE系列。該系列產品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現無縫兼容，此產品的面世將進一步強化兆易創(chuàng)新在雙電壓供電閃存解決方案領域的戰(zhàn)略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設備、醫(yī)療健康、物聯網、數據中心及邊緣人工智能應用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
關鍵字：兆易創(chuàng)新 SPI NOR Flash

SK海力士完成與英特爾的最終交割

SK海力士將于2025年3月（協議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業(yè)務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業(yè)級固態(tài)硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭?！?2020年10月，SK海力士與英特爾達成協議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業(yè)務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
關鍵字： SK海力士英特爾 NAND 閃存

十年磨一劍：三星引入長江存儲專利技術

近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關鍵字：三星長江存儲 NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

NAND Flash市況有望6月復蘇

NAND Flash控制芯片廠慧榮科技總經理茍嘉章預期，NAND Flash市況將于6月好轉，下半年表現將優(yōu)于上半年，甚至不排除供應吃緊的可能性。茍嘉章指出，2025年第一季NAND Flash雖小幅下跌，但供應商已開始堅守價格，避免市場陷入低迷行情。他強調，供應商根據市場狀況自然調節(jié)供給，是NAND Flash供需好轉的主因之一，2025年NAND Flash位元供給，估計將增加上看20%。美國商務部對出口至中國大陸的存儲器制造設備實施管制，也將延緩中國大陸廠商在DRAM領域的擴張步伐。盡管中國大陸部分
關鍵字： TrendForce 集邦咨詢 NAND Flash

稱三星與長江存儲合作，新一代NAND將采用中國企業(yè)專利

據韓媒報道，三星已確認從V10（第10代）開始，將使用長江存儲(YMTC)的專利技術，特別是在新的先進封裝技術“混合鍵合”方面。雙方已簽署3D NAND混合鍵合專利的許可協議，達成合作。據悉，V10是三星電子計劃最早在今年下半年開始量產的下一代NAND，該產品預計將具有約420至430層。將采用多項新技術，其中最重要的是W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術。據了解，長江存儲是最早將混合鍵合應用于3D NAND的企業(yè)，并將這項技術命名為“晶棧Xtacking”。該技術可在一片晶圓上獨立加工負責
關鍵字：三星長江存儲 NAND

鎧俠與閃迪合作研發(fā)出332層NAND閃存

自鎧俠官網獲悉，日前，鎧俠公司和閃迪公司宣布率先推出了最先進的3D閃存技術，以4.8Gb/s的NAND接口速度、卓越的能效和更高的密度樹立了行業(yè)標桿。據悉，鎧俠新閃存采用CBA雙晶圓鍵合技術，分別制造CMOS控制電路、NAND存儲陣列，然后鍵合在一起，類似長江存儲的Xtacking晶棧架構。3D堆疊層數達到空前的332層，對比第8代的218層增加了多達38%。兩家公司的新一代3D閃存較目前量產的第八代產品（BiCS FLASH? generation 8）實現了33%的NAND接口速度提升，達到4.8G
關鍵字：鎧俠 3D閃存 NAND

NAND閃存再減產：三星、SK海力士將至少削減10%

據報道，NAND閃存在2025年將繼續(xù)面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執(zhí)行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續(xù)下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態(tài)度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業(yè)的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
關鍵字： NAND 閃存三星 SK海力士

國際最新研究將3D NAND深孔蝕刻速度提升一倍

據媒體報道，近日，研究人員發(fā)現了一種使用先進的等離子工藝在3D NAND閃存中蝕刻深孔的更快、更高效的方法。通過調整化學成分，將蝕刻速度提高了一倍，提高了精度，為更密集、更大容量的內存存儲奠定了基礎。這項研究是由來自Lam Research、科羅拉多大學博爾德分校和美國能源部普林斯頓等離子體物理實驗室（PPPL）的科學家通過模擬和實驗進行的。根據報道，前PPPL研究員、現就職于Lam Research的Yuri Barsukov表示，使用等離子體中發(fā)現的帶電粒子是創(chuàng)建微電子學所需的非常小但很深的圓孔的最簡
關鍵字： 3D NAND 深孔蝕刻

NAND價格能否“觸底反彈”？

全球NAND閃存價格已連續(xù)四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩(wěn)定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
關鍵字： NAND 三星閃存美光 SK海力士

NAND Flash廠商2025年重啟減產策略，以緩解供需失衡和穩(wěn)定價格

根據TrendForce集邦咨詢最新研究報告指出，NAND Flash產業(yè)2025年持續(xù)面臨需求疲弱、供給過剩的雙重壓力。在此背景下，除了Micron（美光）率先宣布減產，Kioxia/ SanDisk（鎧俠/閃迪）、Samsung（三星）和SK hynix/ Solidigm（SK海力士/思得）也啟動相關計劃，可能長期內加快供應商整合步伐。TrendForce集邦咨詢表示，NAND Flash廠商主要通過降低2025年稼動率和延后制程升級等方式達成減產目的，背后受以下因素驅動：第一，需求疲軟
關鍵字： NAND Flash 減產 TrendForce 集邦咨詢

嵌入式軟件OTA升級，有哪幾種FLASH劃分方式？

很多嵌入式硬件設備都集成了OTA功能，以便產品量產后可以通過遠程OTA等方式下載的APP應用程序。在使用帶有OTA功能的固件之前，其實還需要提前下載BootLoader程序，才能進一步下載APP程序，今天就來說說通過OTA方式升級固件時，幾種Flash（閃存）劃分方式。獨立型
關鍵字：嵌入式 OTA FLASH

應對降價：三星大幅減產西安工廠NAND閃存！

1月13日消息，據媒體報道，三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產，以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌，確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示，截至2024年10月底，用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業(yè)消息，三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%，每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外，三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應，導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施，當時
關鍵字：三星 NAND 閃存存儲卡 U盤晶圓 SK海力士鎧俠西部數據美光長江存儲

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nand flash介紹

　Nand-flash內存是flash內存的-種，其內部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內存的實現提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數據的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應用，如嵌入式產品中包括數碼相機、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進行，如果目標區(qū)域已經有數 [ 查看詳細 ]